| ▶ 환경 및 신뢰성 |
| IEC 60068-2-1:2007 |
Environmental testing－Part 2-1: Tests－Test A: Cold
(Test Ad, Ae 제외) |
온도: (-65 ~ +5) °C |
소재지 |
| IEC 60068-2-2:2007 |
Environmental testing - Part 2-2: Tests - Test B: Dry heat
(Test Bd, Be 제외) |
온도: (30 ~ 200) °C |
소재지 |
| IEC 60068-2-30:2005 |
Environmental testing - Part 2-30: Tests - Test Db: Damp heat, cyclic (12 h + 12 h cycle) |
온도: (25 ~ 55) °C
습도: (45 ~ 98) % R.H. |
소재지 |
| IEC 60068-2-38:2021 |
Environmental Testing - Part 2-38: Tests - Test Z/AD: Composite temperature/humidity cyclic test |
온도: (-10 ~ +65) °C
습도: (45 ~ 96) % R.H. |
소재지 |
IEC 60068-2-67:
1995/AMD1:2019 |
Environmental testing Part 2-67: Tests — Test Cy: Damp heat, steady state, accelerated test primarily intended for components |
온도: 85 °C
습도: 85 % R.H. |
소재지 |
| IEC 60068-2-78:2012 |
Environmental testing - Part 2-78: Tests - Test Cab: Damp heat, steady state |
온도: (30 ~ 40) °C
습도: (85 ~ 93) % R.H. |
소재지 |
| JEP159A:2015 |
Procedure for the Evaluation of Low-k/Metal Inter/Intra-Level Dielectric Integrity |
전압극성: DC Only
전압범위: -200 V ∼ +200 V
전류범위: -1 A ~ +1 A |
부속시설-1 |
| JEP159A:2015 |
Procedure for the Evaluation of Low-k/Metal Inter/Intra-Level Dielectric Integrity |
전압극성: DC Only
전압범위: -200 V ∼ +200 V
전류범위: -1 A ~ +1 A |
소재지 |
JESD22-A101D.01:
2021 |
Steady-State Temperature-Humidity Bias Life Test |
온도: (81 ~ 87) ℃
습도: (80 ~ 90) % R.H. |
소재지 |
JESD22-A103E.01:
2021 |
High Temperature Storage Life |
온도: (120 ~ 200) ℃ |
소재지 |
JESD22-A104F.01:
2023 |
Temperature Cycling |
온도: (-65 ~ +150) ℃ |
소재지 |
| JESD22-A108G:2022 |
Temperature, Bias, and Operating Life |
온도: -70 ℃ ~ +200 ℃ |
소재지 |
| JESD22-A119A:2015 |
Low Temperature Storage Life |
온도: (-70 ~ -40) ℃ |
소재지 |
JESD241:2015
(R2021) |
Procedure for Wafer-Level DC Characterization of Bias Temperature Instabilities |
전압범위: -200 V ∼ +200 V
전류범위: -1 A ~ +1 A |
소재지 |
JESD241:2015
(R2021) |
Procedure for Wafer-Level DC Characterization of Bias Temperature Instabilities |
전압범위: -200 V ∼ +200 V
전류범위: -1 A ~ +1 A |
소재지 |
| JESD28-A:2001 |
Procedure for Measuring N-Channel MOSFET Hot-Carrier-Induced Degradation Under DC Stress |
전압범위: -200 V ~ +200 V
전류범위: -1 A ~ +1 A |
부속시설-1 |
| JESD28-A:2001 |
Procedure for Measuring N-Channel MOSFET Hot-Carrier-Induced Degradation Under DC Stress |
전압범위: -200 V ~ +200 V
전류범위: -1 A ~ +1 A |
소재지 |
| JESD60A:2004 |
A Procedure for Measuring P-Channel MOSFET Hot-Carrier-Induced Degradation Under DC Stress |
전압극성: DC Only
전압범위: -200 V ∼ +200 V
전류범위: -1 A ~ +1 A |
부속시설-1 |
| JESD60A:2004 |
A Procedure for Measuring P-Channel MOSFET Hot-Carrier-Induced Degradation Under DC Stress |
전압극성: DC Only
전압범위: -200 V ∼ +200 V
전류범위: -1 A ~ +1 A |
소재지 |
| JESD92:2003 |
Procedure for Characterizing Time-Dependent Dielectric Breakdown of Ultra-Thin Gate Dielectrics |
전압범위: -200 V ∼ +200 V
전류범위: -1 A ~ +1 A |
소재지 |
| JESD92:2003 |
Procedure for Characterizing Time-Dependent Dielectric Breakdown of Ultra-Thin Gate Dielectrics |
전압범위: -200 V ∼ +200 V
전류범위: -1 A ~ +1 A |
부속시설-1 |
| KS C IEC 60068-2-1:2007 |
환경 시험 - 제2-1부: 시험 - 시험 A: 내한성 시험
(Test Ad, Ae 제외) |
온도: (-65 ~ +5) °C |
소재지 |
| KS C IEC 60068-2-2:2014 |
환경 시험 - 제2-2부: 시험 - 시험 B: 내열성 시험
(Test Bd, Be 제외) |
온도: (30 ~ 200) °C |
소재지 |
| KS C IEC 60068-2-30:2005 |
환경 시험 - 제 2-30부: 시험 - 시험 Db와 지침: 주기적 내습 (12 h + 12 h 주기) |
온도: (25 ~ 55) °C
습도: (45 ~ 98) % R.H. |
소재지 |
| KS C IEC 60068-2-38:2022 |
환경 시험 - 제2-38부: 시험 - 시험 Z/AD: 복합 온도/습도 사이클 시험 |
온도: (-10 ~ +65) °C
습도: (45 ~ 96) % R.H. |
소재지 |
| KS C IEC 60068-2-67:2019 |
환경시험 - 제2-67부 : 시험 - 시험 Cy: 주로 부품을 대상으로 하는 습열, 정상 상태, 가속시험 |
온도: 85 °C
습도: 85 % R.H. |
소재지 |
| KS C IEC 60068-2-78:2012 |
환경 시험 - 제2-78부: 시험 - 시험 Cab: 안정 상태의 내습성 시험 |
온도: (30 ~ 40) °C
습도: (85 ~ 93) % R.H. |
소재지 |
| MIL-STD-202G:2002 |
Department of Defense Test Method Standard Electronic and Electrical Component Parts
<시험가능범위>
Class 100
Environment Test
103B Humidity (steady state)
106G Moisture resistance
107G Thermal shock
(3.2 Liquid baths 제외)
108A Life (At Elevated Ambient Temperature)
Class 300: Electrical-Characteristics Tests
301 Dielectric Withstanding voltage
302 Insulation resistance
303A DC resistance
304 Resistance temperature characteristic
305A Capacitance
306 Quality factor
307 Contact Resistance
309 Voltage coefficient of resistance determination procedure |
Class 100 Environment Test
온도: -70 ℃ ~ +200 ℃
습도: (10 ~ 95) % R.H.
Class 300 Electrical Characteristics Test
전압범위: -1 000 V ~ +1 000 V
전류범위: -10 A ~ +10 A
정전용량 범위: 1 pF ~ 9.99999 F
내전압범위: 0 V ~ 2 000 V
저항범위: 0 Ω ~ 1 000 MΩ |
소재지 |
| MIL-STD-202G:2002 |
Department of Defense Test Method Standard Electronic and Electrical Component Parts
<시험가능범위>
Class 100
Environment Test
103B Humidity (steady state)
106G Moisture resistance
107G Thermal shock
(3.2 Liquid baths 제외)
108A Life (At Elevated Ambient Temperature)
Class 300: Electrical-Characteristics Tests
301 Dielectric Withstanding voltage
302 Insulation resistance
303A DC resistance
304 Resistance temperature characteristic
305A Capacitance
306 Quality factor
307 Contact Resistance
309 Voltage coefficient of resistance determination procedure |
Class 100 Environment Test
온도: -70 ℃ ~ +200 ℃
습도: (10 ~ 95) % R.H.
Class 300 Electrical Characteristics Test
전압범위: -1 000 V ~ +1 000 V
전류범위: -10 A ~ +10 A
정전용량 범위: 1 pF ~ 9.99999 F
내전압범위: 0 V ~ 2 000 V
저항범위: 0 Ω ~ 1 000 MΩ |
부속시설-1 |
| MIL-STD-750-3:2012 |
Department of Defense Test Method Standard Transistor Electrical Test Methods for Semiconductor Devices
<시험가능 범위>
Part 3: Test Methods 3000 Through 3999
3001.1 Breakdown Voltage, Collector to Base
3005.1 Burnout by Pulsing
3011.2 Breakdown Voltage, Collector to Emitter
3026.1 Breakdown Voltage, Emitter to Base
3051 Safe Operating Area
(Continuous DC)
3401.1 Breakdown Voltage, Gate-to-Source
3403.1 Gate-to-Source Voltage or Current
3404 MOSFET Threshold Voltage
3405.1 Drain-to-Source On-State Voltage
3407.1 Breakdown Voltage, Drain-to-Source
3411.1 Gate Reverse Current
3413.1 Drain Current
3415.1 Drain Reverse Current
3421.1 Static Drain-to-Source On-State Resistance |
전압극성: DC Only
전압범위: -1 000 V ~ +1 000 V
전류범위: -2 A ~ +2 A
– 3005.1인 경우
전압구동: Pulse
Pulse 전압범위: -40 V ~ +40 V
Pulse 주기범위: 2 μs ~ 2 ms |
부속시설-1 |
| MIL-STD-750-3:2012 |
Department of Defense Test Method Standard Transistor Electrical Test Methods for Semiconductor Devices
<시험가능 범위>
Part 3: Test Methods 3000 Through 3999
3001.1 Breakdown Voltage, Collector to Base
3005.1 Burnout by Pulsing
3011.2 Breakdown Voltage, Collector to Emitter
3026.1 Breakdown Voltage, Emitter to Base
3051 Safe Operating Area
(Continuous DC)
3401.1 Breakdown Voltage, Gate-to-Source
3403.1 Gate-to-Source Voltage or Current
3404 MOSFET Threshold Voltage
3405.1 Drain-to-Source On-State Voltage
3407.1 Breakdown Voltage, Drain-to-Source
3411.1 Gate Reverse Current
3413.1 Drain Current
3415.1 Drain Reverse Current
3421.1 Static Drain-to-Source On-State Resistance |
전압극성: DC Only
전압범위: -1 000 V ~ +1 000 V
전류범위: -2 A ~ +2 A
– 3005.1인 경우
전압구동: Pulse
Pulse 전압범위: -40 V ~ +40 V
Pulse 주기범위: 2 μs ~ 2 ms |
소재지 |
| MIL-STD-750-4:2012 |
Department of Defense
Test Method Standard
Diode Electrical Test Methods for Semiconductor Devices
<시험가능범위>
Part 4: Test Methods 4000 Through 4999
4011.4 Forward Voltage
(3.2 Pulse method 제외)
4016.4 Reverse Current Leakage
4021.2 Breakdown Voltage (Diodes)
4076.1 Saturation Current
4141.1 Burn out By Repetitive Pulsing |
전압극성: DC Only
전압범위: -1 000 V ~ +1 000 V
전류범위: -2 A ~ +2 A
- 4141.1인 경우
전압구동: Pulse
Pulse 전압범위: -40 V ~ +40 V
Pulse 주기범위: 2 μs ~ 2 ms |
소재지 |
| MIL-STD-750-4:2012 |
Department of Defense Test Method Standard Diode Electrical
Test Methods for Semiconductor Devices
<시험가능범위>
Part 4: Test Methods 4000 Through 4999
4011.4 Forward Voltage
(3.2 Pulse method 제외)
4016.4 Reverse Current Leakage
4021.2 Breakdown Voltage (Diodes)
4076.1 Saturation Current
4141.1 Burn out By Repetitive Pulsing |
전압극성: DC Only
전압범위: -1 000 V ~ +1 000 V
전류범위: -2 A ~ +2 A
- 4141.1인 경우
전압구동: Pulse
Pulse 전압범위: -40 V ~ +40 V
Pulse 주기범위: 2 μs ~ 2 ms |
부속시설-1 |
| MIL-STD-810F: 2003 |
Department of Defense Test Method Standard Environmental Engineering Considerations and Laboratory Tests
<시험가능범위>
Part Two - Laboratory Test Methods
501.4 High Temperature
502.4 Low Temperature
503.4 Temperature Shock
507.4 Humidity |
501.4 온도: (30 ~ 71) ℃
502.4 온도: (-61 ~ -6) ℃
503.4 온도: (-65 ~ +150) ℃
507.4 습도: (20 ~ 95) % R.H |
소재지 |
| MIL-STD-810G: 2008 |
Department of Defense Test Method Standard Environmental Engineering Considerations and Laboratory Tests
<시험가능범위>
Part Two - Laboratory Test Methods
501.5 High Temperature
502.5 Low Temperature
503.5 Temperature Shock
507.5 Humidity |
501.5 온도: (30 ~ 71) ℃
502.5 온도: (-61 ~ -6) ℃
503.5 온도: (-65 ~ +150) ℃
507.5 습도: (20 ~ 95) % R.H |
소재지 |
| MIL-STD-810H: 2019 |
Department of Defense Test Method Standard Environmental Engineering Considerations and Laboratory Tests
<시험가능범위>
Part Two - Laboratory Test Methods
501.7 High Temperature
502.7 Low Temperature
503.7 Temperature Shock
507.7 Humidity |
501.7 온도: (30 ~ 71) ℃
502.7 온도: (-61 ~ -6) ℃
503.7 온도: (-65 ~ +150) ℃
507.7 습도: (20 ~ 95) % R.H |
소재지 |
TTAK.KO-10.0456:
2010 |
적외선 센서용 볼로미터 박막의 성능 평가 방법 : Part 1. 저항온도계수 |
전압극성: DC Only
온도: 25 ℃ ~ 175 ℃
전압범위:1 V ~ 5 V |
소재지 |
TTAK.KO-10.0456:
2010 |
적외선 센서용 볼로미터 박막의 성능 평가 방법 : Part 1. 저항온도계수 |
전압극성: DC Only
온도: 25 ℃ ~ 175 ℃
전압범위:1 V ~ 5 V |
소재지 |
TTAK.KO-10.0457:
2010 |
적외선 센서용 볼로미터 박막의 성능 평가 방법 : Part 2. 1/f 잡음 |
주파수: 1 Hz ~ 100 kHz
전압범위: -200 V ~ +200 V
전류범위: -1 A ~ +1 A |
부속시설-1 |
TTAK.KO-10.0457:
2010 |
적외선 센서용 볼로미터 박막의 성능 평가 방법 : Part 2. 1/f 잡음 |
주파수: 1 Hz ~ 100 kHz
전압범위: -200 V ~ +200 V
전류범위: -1 A ~ +1 A |
소재지 |
TTAK.KO-10.0803:
2015 |
반도체 소자의 1/f 잡음평가 방법 |
주파수: 1 Hz ~ 100 kHz
전압범위: -200 V ~ +200 V
전류범위: -1 A ~ +1 A |
소재지 |
TTAK.KO-10.0803:
2015 |
반도체 소자의 1/f 잡음평가 방법 |
주파수: 1 Hz ~ 100 kHz
전압범위: -200 V ~ +200 V
전류범위: -1 A ~ +1 A |
부속시설-1 |
TTAK.KO-10.0804:
2015 |
정보통신용 저항기의 주기적 전압 펄스에 의한 저항값의 변화량 평가 방법 |
Pulse 전압범위: -40 V ~ +40 V
Pulse 주기범위: 2 μs ~ 2 ms |
소재지 |
TTAK.KO-10.0804:
2015 |
정보통신용 저항기의 주기적 전압 펄스에 의한 저항값의 변화량 평가 방법 |
Pulse 전압범위: -40 V ~ +40 V
Pulse 주기범위: 2 μs ~ 2 ms |
부속시설-1 |
