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시험기관검색KOLAS Search Service

시험은 특정한 제품,공정 또는 서비스를 대상으로 하나 또는 그 이상의 특성을 규정된 절차에 따라 측정하는 기술적인 작업, 설계, 제품, 서비스, 공정, 공장에 대한 조사 및 특정요건이나 전문적 판정, 일반요건을 근거로 한 적합성 판정을 말한다.

인정번호 (Accreditation No) KT299
기관명
(Organization Name)		 (재)충북테크노파크(반도체IT센터)
공인유효기간 2023-01-31 ~ 2027-02-01
주소 충청북도 청주시 청원구 오창읍 연구단지로 76
소재지 충청북도 청주시 청원구 오창읍 연구단지로 76
담당자 이재영
전화 번호 043-270-2330
팩스 번호 043-270-2399
인정범위 전기시험
규격번호
(Test method)		 규격명
(Standard designation)		 시험범위
(Test Range)		 사업장
(Site)
▶ 환경 및 신뢰성
MIL-STD-750D:1995 TEST METHODS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
METHOD 1037.2
INTERMITTENT OPERATION LIFE (SAMPLE PLAN)		 ΔTj : 125 ℃
Cycle time : 2 min		 소재지
IEC 60749-5:2023 Semiconductor devices – Mechanical and climatic test methods – Part 5: Steady-state temperature humidity bias life test
(Exception)
7.5 Bias
8 Failure criteria		 Temperature : (85 ± 2) ℃
Humidity : (85 ± 5) % R.H.		 소재지
AEC-Q101-005-Rev-A:2019 CHARGED DEVICE MODEL (CDM) ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) TEST
(Exception)
2.2 Measurements
2.8 Failure Criteria		 Test Voltage Level
- Both Small & Large
(125 ~ 1 000) V
(-1 000 ~ -125) V		 소재지
AEC–Q101-001-Rev-A:2005 HUMAN BODY MODEL (HBM) ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) TEST
(Exception)
3.4 Measurements
4 Failure Criteria		 Test Voltage Level :
(250 ~ 8 000) V
(-8 000 ~ -250) V		 소재지
AEC-Q100-011-Rev-D:2019 CHARGED DEVICE MODEL (CDM) ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) TEST
(Exception)
2.2 Measurements
2.9 Failure Criteria		 Test Voltage Level
- Both Small & Large
(250 ~ 8 000) V
(-8 000 ~ -250) V		 소재지
AEC-Q100-008-Rev-A:2003 EARLY LIFE FAILURE RATE (ELFR)
(Exception)
3.3 Acceptance Criteria
3.4 Sample Disposition		 온도 : Max. 175 ℃ 소재지
AEC-Q100-004-Rev-D:2012 IC Latch-Up Test
(Exception)
5 Failure Criteria		 Test Voltage Level :
(1 ~ 100) V
(-100 ~ -1) V
(1.5 x VDD) V
Test Current : Max. 1 A		 소재지
AEC-Q100-002-REV-E:2013 HUMAN BODY MODEL ELECTROSTATIC DISCHARGE TEST Test Voltage Level :
(250 ~ 8 000) V
(-8 000 ~ -250) V		 소재지
ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2025 For Electrostatic Discharge Sensitivity Testing Charged Device Model (CDM) Device Level
(Exception)
7.2.2 Device Test		 Test Voltage Level
- Both Small & Large
(125 ~ 1 000) V
(-1 000 ~ -125) V		 소재지
ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2024 For Electrostatic Discharge Sensitivity Testing
Human Body Model (HBM) Device Level
(Exception)
7.0 Failure criteria		 Test Voltage Level :
(250 ~ 8 000) V
(-8 000 ~ -250) V		 소재지
IPC/JEDEC J-STD-020F:2022 Moisture/Reflow Sensitivity Classification for Non-hermetic Surface Mount Devices (SMDs)
(Exception)
6.6 Electrical Test
8.2 Initial electrical test
9. Criteria		 온도 : Max. 150 ℃
습도 : Max. 85 % R.H.
Reflow : Max. 260 ℃		 소재지
JESD78F.02:2023 IC Latch-Up Test
(Exception)
-Class I testing at room temperature ambient
5.5 Latch-up detection criteria		 Test Voltage Level :
(10 ~ 100) V
(-100 ~ -10) V
(1.5 x VDD) V
Test Current : Max. 1 A		 소재지
JESD78E:2016 IC Latch-Up Test
-Class I testing at room temperature ambient
(Exception)
5 Latch-up detection criteria		 Test Voltage Level :
(10 ~ 100) V
(-100 ~ -10) V
(1.5 x VDD) V
Test Current : Max. 1 A		 소재지
JESD22-A119A:2015 Low Temperature Storage Life
(Exception)
3.2 Measurements
3.3 Failure criteria		 온도 : Min. -65 ℃ 소재지
JESD22-A118B.01:2021 Accelerated Moisture Resistance - Un biased HAST
(Exception)
5.0 Failure Criteria		 온도 : 130 ℃
습도 : 85 % R.H.
증기압력 : 230 kPa		 소재지
JESD22-A115C:2010 Electrostatic Discharge (ESD) Sensitivity Testing, Machine Model (MM)
(Exception)
5.0 Failure criteria		 Test Voltage Level :
(25 ~ 800) V
(-800 ~ -25) V		 소재지
JESD22-A113I:2020 Preconditioning of Non hermetic Surface Mount Devices Prior to Reliability Testing
(Exception)
4.4 Electrical test equipment
5.1 Initial electrical test
5.11 Final electrical test		 온도 : Max. 150 ℃
습도 : Max. 85 % R.H.
Reflow : Max. 260 ℃		 소재지
JESD22-A110E.01:2021 Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST)
(Exception)
5.0 Failure Criteria		 온도 : 130 ℃
습도 : 85 % R.H.
증기압력 : 230 kPa		 소재지
JESD22-A108G:2022 Temperature Bias and Operating Life
(Exception)
6.0 Measurements
7.0 Failure criteria		 온도 : Max. 175 ℃ 소재지
JESD22-A105D:2020 Power and Temperature Cycling
(Exception)
4.4 Measurements
5. Failure Criteria		 온도 : Max. 150 ℃
온도 : Min. -40 ℃		 소재지
JESD22-A104F.01:2023 Temperature Cycling
(Exception)
5.9 Measurements
6. Failure criteria		 High Zone : Max. 150 ℃
Low Zone : Min. -65 ℃		 소재지
JESD22-A103E.01:2021 High Temperature Storage Life
(Exception)
4.2 Measurements
4.3 Failure criteria		 온도 : Max. 200 ℃ 소재지
JESD22-A102E:2015 Accelerated Moisture Resistance – Unbiased Autoclave
(Exception)
5.0 Failure criteria		 온도 : 121 ℃
습도 : 100 % R.H.
증기압력 : 205 kPa		 소재지
JESD22-A101D.01:2021 Steady-State Temperature-Humidity Bias Life Test
(Exception)
5.0 Failure criteria		 온도 : Max. 85 ℃
습도 : Max. 85 % R.H.		 소재지
IEC 60749-6:2017 Semiconductor devices – Mechanical and climatic test methods – Part 6: Storage at high temperature
(Exception)
5.2 Measurements
5.3 Failure crieria		 Temperature : Max. 200 ℃ 소재지

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